存儲市場分化：AI拉動內存需求復蘇 閃存廠商仍陷減產泥潭

NAND Flash主要產品之一固態硬盤價格持續下跌，目前已是年內低點。

存儲市場近日出現分化行情。NAND Flash（閃存）和DRAM（動態隨機存取內存）作爲最主要的存儲芯片，多類消費電子需求疲弱背景下，多家NAND Flash廠商仍在減產，另一邊，因AI服務器需求增加，與AI場景高算力需求匹配的HBM（高帶寬內存）芯片需求上升，助力DRAM整體需求復蘇。

8月11日，第一財經記者從深圳華強北多家電腦裝機商家了解到，NAND Flash主要產品之一固態硬盤價格持續下跌，目前已是年內低點。

反映至NAND Flash廠商業績，鎧俠8月9日發布的2023年Q1財報顯示，截至今年6月30日的最新季度裏，其收入2511億日元，同比減少31.6%，營業利潤虧損1308億日元，平均售價環比下降。

需求不振下，日媒近日報道稱鎧俠在日本巖手縣北上市新建的廠房將推遲投入使用。今年7月末，三星和SK海力士則在財報會上釋放NAND產量繼續下調的信號。

另一邊，DRAM走出不同行情，AI浪潮催化下，DRAM行情好轉的跡象更明顯，隨着HBM存儲成爲行業熱點，三星、SK海力士均傳出擴產HBM產能的消息。

“DRAM行情比NAND Flash更早復蘇，原因包括DRAM前期減產更猛烈、DRAM在智能手機等終端應用中的需求相對剛性，AI場景對HBM的需求也有所增加。”Counterpoint研究副總監BradyWang告訴記者。

目前，HBM市場基本被SK海力士、美光和三星三家DRAM大廠瓜分，但國內相關產業鏈公司近期也受到資本關注。從市場谷底望向後市，這股AI風潮下，國內存儲相關廠商能受益幾何、行情復蘇何時到來？

閃存廠商減產

存儲器在消費電子市場的價格仍在低點。華強北多位電腦裝機商家稱，近期CPU、主板等電腦部件價格波動上漲，但固態硬盤價格較穩，目前已是年內低點。普通2.5寸1T固態硬盤售價低至300元左右，品質更高、讀寫速度更快的型號價格400~500元，普通2T固態硬盤售價在500元左右。

有商家稱，去年還售400、500百元的固態硬盤，如今跌至200多元。更久以前，固態硬盤價格約每1G銷售0.8元，現已大打折扣。

固態硬盤是以NAND Flash爲介質的一類主要存儲產品，應用於PC、筆記本電腦、數據中心等場景，此外，U盤、手機等移動設備也多採用NAND Flash介質存儲。消費電子市場和數據中心需求偏弱背景下，多類NandFlash產品降價，廠商近期仍在控制產能。

三星相關負責人已在7月底的電話財報會上稱，三星將減產部分DRAM和NAND產品，尤其是NAND產品。SK海力士稱，考慮到較高的行業庫存水平和NAND的盈利能力低於DRAM，將進一步削減NAND產量。鎧俠在財報中稱，因閃存制造商生產調整，供需平衡狀況逐步改善，客戶庫存改善及PC、智能手機內存增長有望修復閃存需求。但鎧俠同時承認，因庫存調整和企業IT支出疲軟，2023年度數據中心和企業級固態硬盤需求將放緩，市場復蘇延遲下，鎧俠將根據市場情況調整生產。

據慢慢买比價平台，DRAM主要產品之一電腦內存條在主流電商平台上也處於價格低位。京東32GB筆記本內存熱賣榜中，一款金士頓內存自今年下半年起便售540元左右，相比年初降價約50元，一款三星內存年內波動降價，目前售574元。

但相比之下，DRAM需求及價格回暖速度仍快於NAND Flash。DRAM廠商南亞科技高管在7月的財報會議上稱，DRAM需求在2023年第二季度觸底，預計2023年下半年將出現輕微或溫和的需求反彈。集邦咨詢此前則預計，第三季度NAND Flash均價下跌約3~8%，DRAM均價跌幅將收斂至0~5%。此外，HBM近期需求火爆，逐漸催化DRAM行情回暖。

HBM成市場新寵

HBM是一種基於3D堆疊工藝的高效能DRAM，通過硅通孔（TSV）技術堆疊後可與GPU一起封裝，擁有更高帶寬和較低耗能。處理器高算力情況下，採用HBM可以避免因存儲器數據訪問速度慢於處理器數據處理速度導致的“內存牆”。

2023年以來，科技大廠接連布局AI大模型，掀起“百模大战”。AI訓練多使用先進GPU（圖形處理器），HBM則是此類GPU存儲單元的理想解決方案。集邦咨詢分析稱，NVIDIA、AMD、Intel等高端AI芯片大多選擇搭載HBM。2023年至2024年AI建設爆發期，大量需求集中在AI訓練芯片上，推升HBM使用量。2023年，HBM即便在原廠擴大產能的情況下，仍無法完全滿足客戶需求。從各原廠規劃看，預計2024年HBM供給位元量將年增長105%。

HBM主要玩家是SK海力士、三星和美光。SK海力士HBM3產品目前領先，但三星和美光已在發力，市場競爭趨於激烈。

今年7月底，美光宣布推出業界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內存。SK海力士和三星則釋放擴產HBM產能的消息。SK海力士高管在7月的財報電話會中稱，爲了在有限的資本支出預算內確保高密度DDR5/HBM的生產能力，將努力提高生產率並減少在其他方面的投資。

據集邦咨詢數據，2022年SK海力士、三星和美光HBM市佔率爲50%、40%、10%，隨着SK海力士和三星擴產及客戶加單，預計2024年SK海力士、三星市佔率差距縮小，兩家共佔約95%份額。

隨着HBM成爲市場焦點，部分國內產業鏈公司也受到市場關注。民生證券研報稱，HBM拉動上遊設備及材料用量需求提升，相關產業鏈環節有望受益，國內產業鏈也在迅速跟進。不過，包括雅克科技、聯瑞新材、香農芯創在內的多家存儲芯片相關產業鏈公司在7月上旬股價拉升後，近日均有所回調。

BradyWang告訴記者，鑑於目前HBM廠商限於SK海力士、三星和美光，國內存儲廠商短期內參與HBM產業鏈的機會比較有限，此外，因目前HBM需求較急、利潤較高，廠商更需要穩定的供應商而不會優先考慮降成本，短期國內廠商新進入產業鏈的機會也有限，但未來存在機會。而放在整個AI浪潮中，材料、設備等多類國內產業鏈廠商均有機會受益於AI服務器需求增加。

例如，AI服務器需求增長未來有可能整體拉動存儲器需求。美光此前曾表示，AI服務器對DRAM和NAND Flash的容量需求是傳統服務器的8倍和3倍。

BradyWang還表示，雖然AI服務器市場增長快，但AI服務器與傳統服務器或PC的量級不同，HBM在DRAM市場中的體量有限。隨着廠商建廠擴產，相關HBM產能放量應等到2025年。未來DRAM市場恢復增長還有賴於PC、手機等產品需求恢復。

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