我國半導體制造核心技術突破，僅次於光刻的重要環節打破國外壟斷

來源：編輯：匿名發表時間：2024-09-11 16:50:21 熱度：4

導讀： IT之家 9 月 11 日消息，據國家電力投資集團有限公司（以下簡稱“國家電投”）9 月 10 日消息，近日，國家電投所屬國電投核力創芯（無錫）科技有限公司（以下簡稱“核力創芯”）暨國家原子能機構核...

IT之家 9 月 11 日消息，據國家電力投資集團有限公司（以下簡稱“國家電投”）9 月 10 日消息，近日，國家電投所屬國電投核力創芯（無錫）科技有限公司（以下簡稱“核力創芯”）暨國家原子能機構核技術（功率芯片質子輻照）研發中心，完成首批氫離子注入性能優化芯片產品客戶交付。

國家電投表示，這標志着我國已全面掌握功率半導體高能氫離子注入核心技術和工藝，補全了我國半導體產業鏈中缺失的重要一環，爲半導體離子注入設備和工藝的全面國產替代奠定了基礎。

據國家電投介紹，氫離子注入是半導體晶圓制造中僅次於光刻的重要環節，在集成電路、功率半導體、第三代半導體等多種類型半導體產品制造過程中起着關鍵作用，該領域核心技術及裝備工藝的缺失嚴重制約了我國半導體產業的高端化發展，特別是 600V 以上高壓功率芯片長期依賴進口。核力創芯的技術突破，打破了國外壟斷。