存儲芯片迎來漲價潮 三星美光等大廠計劃漲15%-20%

來源: 編輯:匿名 發表時間:2024-01-04 16:51:15 熱度:15

導讀: 【手機中國新聞】1月4日,據中國家電網報道,存儲器行業正迎來一場漲價潮。三星電子、美光等存儲器大廠計劃在今年第一季度將DRAM價格調漲15%-20%,從1月起正式執行。這一消息已得到部分廠商的證實,...

【手機中國新聞】1月4日,據中國家電網報道,存儲器行業正迎來一場漲價潮。三星電子、美光等存儲器大廠計劃在今年第一季度將DRAM價格調漲15%-20%,從1月起正式執行。這一消息已得到部分廠商的證實,他們透露已收到三星的漲價預告。

業界人士分析,此次漲價的原因主要是上遊原廠試圖通過提價改善營運虧損。值得注意的是,漲價的焦點將從NAND轉移至DRAM。DDR4和DDR5有望成爲下一波調漲的重點,而DDR3的產能及需求相對穩定,預計漲幅相對平緩。

隨着上遊原廠酝釀提價,多家存儲器模塊業者已經开始備貨,預計供貨給OEM廠的合約價將延後一個季度跟進。這意味着從二季度起,DRAM的全面漲價將得以體現。

存儲芯片市場主要由DRAM和NAND Flash主導。此前,NAND Flash的價格從2023年下半年开始一路上漲,而DRAM報價的漲幅相對較少。據數據顯示,2023年12月,DRAM報價僅微幅調漲2%-3%,明顯低於3D TLC NAND約10%的漲幅。

在供給方面,業界指出,無論是DRAM還是NAND,2023年Q4上遊供貨狀況並不緊缺。然而,隨着原廠酝釀提價,未來市場走勢仍存在不確定性。

此次漲價潮對整個存儲器行業產生了重大影響。對於OEM廠商而言,DRAM價格的上漲將對他們的生產成本產生影響。爲了保持利潤空間,他們可能需要在產品設計和生產過程中尋求更高效的解決方案,或者通過與供應商協商降低其他材料的成本來緩解壓力。



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